罗姆开发出可内置于马达的模块.源泉

草案要求罗姆开发出了可内置于马达的多款功率模块，并在2010年10月举行的“CEATEC JAPAN 2010”上进行了展示。通过在马达驱动用电路的功率模块上采用可高温工作的SiC功率元件，提高了耐热性。据罗姆介绍，通过内置于马达进行驱动，缩短了布线，降低了在布线上的电力损失。

此次开发的功率模块共有三种类型：①配备肖特基势垒二极管（SBD）的类型、②配备沟道型MOSFET的类型、以及③配备沟道型MOSFET和SBD二者的类型。会场上演示了将①和②内置于马达后，驱动车轮旋转的工作演示（图1）。

①和②的耐压均为600V，输出电流均为450A。③的耐压为600V，输出电流为 00A。与采用硅功率元件、性能大致相同的功率模块相比，①和②的体积缩小一半，③缩小至约1/10。

①～③均在225℃的温度下工作。除采用了SiC功率元件外，还通过改良安装方法和封装材料等，实现了200℃以上的驱动。

罗姆除了模块外，还开发出了SiC制MOFET用栅极驱动IC，并在会场上进行了演示。可高速进行开关动作以及施加较高的栅极电压（18V）。据罗姆介绍，即使开关时的占空控制比较复杂，也能以100k～200kHz进行开关。

此次为提高开关动作的速度，在封装内形成了绝缘用变压器，没有使用光电耦合器。原因是，开关速度越快“光电耦合器的寿命越短”（解说员）。通过去除光电耦合器，还对削减安装面积做出了贡献。

通过内置变压器，确保了2500Vrms的绝缘电压耐量。据罗姆介绍，为了使变压器不易受到电磁噪声的影响，进行了一些改进。

工作温度为-40℃～+125℃。今后考虑使其与SiC功率元件一样，在225℃的高温下也能工作。将通过采用支持高温的SOI底板实现。（：根津 祯）