台积电英特尔IBM工艺大PK华为55nm新时代

多年以来，在纯逻辑制程方面，英特尔都可以理直气壮地声称其工艺领先所有竞争对手。2007年英特尔在45nm节点导入HKMG工艺（High-K绝缘层+金属栅极），直到2010年左右，HKMG才在整个半导体业界普及。2011年英特尔在22nm节点引入FinFET工艺，直到2014年大部分竞争对手才实现了FinFET工艺。从22nm推进到14nm，英特尔理应比其他厂商更顺利一些，因为英特尔只需要缩小工艺尺寸，而其他厂商既要导入FinFET工艺，又要缩减尺寸，但是英特尔在14nm上却栽了大跟头。英特尔在2007、2009和2011年分别进入45nm、 2nm和22nm工艺节点，14nm工艺按计划应该在201 年推出，但是英特尔直到2014年才推出14nm工艺，比计划晚了好几个季度。

三星则跳过了20nm，在2014年底直接进入14nm工艺，只比英特尔晚了一点点。三星最早的14nm工艺被称为 14LPE ，在 14LPE 之后，三星将推出提升性能的 14LPP 工艺。三星也将14nm工艺授权给GlobalFoundries，从而使公司有更多的14nm工艺选择。

台积电对抗14nm工艺的制程被其称为 16FF ，这种16nm FinFET工艺在2014年末引入，2015年量产。2015年下半年台积电还将量产一款提高性能的 16FF+ 工艺。

有两点需要说明一下。英特尔公布的工艺导入日期是英特尔处理器导入新工艺的时间，而晶圆代工厂公布的工艺导入日期是系统级芯片（SoC）导入新工艺的时间。由于系统级芯片比处理器要支持更多的设备，所以系统级芯片所采用的工艺一般比处理器更复杂。相同的工艺节点，英特尔的系统级芯片工艺导入时间一般比处理器工艺导入时间晚一年。第二点，晶圆代工厂的14nm工艺指只缩减了前道工艺的尺寸，后道工艺还是20nm工艺的水平，英特尔的前道工艺与后道工艺都进行了缩减，因此英特尔的工艺尺寸比其他晶圆厂都要小。